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型号 PHN210,118
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC
PHN210,118 PDF
代理商 PHN210,118
标准包装 10,000
系列 TrenchMOS™
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 2.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 250pF @ 20V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 带卷 (TR)
其它名称 934033430118
PHN210 /T3
PHN210 /T3-ND
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